[发明专利]一种化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201611247481.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108262684B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈怡骏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/34 | 分类号： | B24B37/34;B24B37/04;B24B55/06;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨方法。所述方法包括：提供待研磨的半导体晶圆；以及对所述半导体晶圆执行化学机械研磨，在研磨过程中将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，以减少所述研磨垫与所述半导体晶圆待研磨表面接触的过程中对所述半导体晶圆边缘的包覆。根据本发明的化学机械研磨方法，在化学机械研磨工艺中，通过将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，可有效减小研磨垫对半导体边缘包覆，减少研磨过程中半导体晶圆边缘的过度研磨，从而减少半导体晶圆研磨后中部和边缘的研磨厚度差异，有效提升半导体晶圆的研磨均匀性，改善半导体晶圆的研磨质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：提供待研磨的半导体晶圆；以及对所述半导体晶圆执行化学机械研磨，在研磨过程中将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，以减少所述研磨垫与所述半导体晶圆待研磨表面接触的过程中对所述半导体晶圆边缘的包覆。
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