[发明专利]一种镍/钴掺杂二硫化三镍储能电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611247251.5 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106531477B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 杨志;徐书生;王涛;马玉洁;胡南滔;张亚非 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种通过两步水热反应制备镍/钴掺杂二硫化三镍储能电极材料的方法。其原料来源广泛,成本低廉;制备工艺简单,易于操作;得到的储能电极材料性能良好,便于产业化应用。本发明所制备的镍/钴掺杂二硫化三镍储能电极材料具有730C/cm3的高体积容量,并且具有良好的倍率性能,可应用于非对称超级电容器或电池的电极材料。
搜索关键词: 一种 掺杂 硫化 三镍储能 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种镍/钴掺杂二硫化三镍储能电极材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:步骤1、镍/二硫化三镍纳米线的制备:将镍纳米线的薄膜加入硫代乙酰胺的水溶液中,然后置于反应釜中进行水热反应,所述镍纳米线和所述硫代乙酰胺的质量比为50~1,所述硫代乙酰胺的水溶液浓度为0.25~5mg/mL,体积为20~80mL;待反应结束冷却后,将产物清洗并烘干,得到镍/二硫化三镍纳米线的薄膜;步骤2、镍/钴掺杂二硫化三镍纳米线的制备:将步骤1得到的所述镍/二硫化三镍纳米线的薄膜置于溶有钴盐的乙二胺和乙二醇的混合溶液中,随后置于反应釜中进行水热反应,所述镍/二硫化三镍纳米线与钴盐的质量比为10~1,所述混合溶液中钴盐的浓度为0.25~10mg/mL,所述乙二胺和所述乙二醇的体积比为0.1~1,混合溶液的体积为20~90mL;待反应结束后,将产物清洗、烘干并切片,得到镍/钴掺杂二硫化三镍纳米线的薄膜储能电极材料。
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