[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201611242158.5 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN107012436B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 小野大祐 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/58 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本神奈川县横*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置,其即使在对包含绝缘物的工件进行处理的情况下,也能使等离子体放电稳定化。等离子体处理装置包括:筒形电极(10),一端设有开口部(11),内部被导入工艺气体;RF电源(15),对筒形电极(10)施加电压;作为搬送部的旋转平台(3),一边循环搬送工件(W),一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的开口部(11)的下方;以及电子诱导构件(17),配置在开口部(11)与旋转平台(3)之间。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于包括:筒形电极,一端设有开口部,内部被导入工艺气体,以产生等离子体;搬送部,一边循环搬送工件,一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的所述开口部的下方;以及电子诱导构件,配置在所述开口部与所述搬送部之间,以对在所述筒形电极的内部产生的所述等离子体中所含的电子进行诱导,使所述等离子体到达通过所述开口部的下方的所述工件。
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