[发明专利]基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备在审
申请号: | 201611242128.4 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106531847A | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 丁建宁;王书博;袁宁一 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备,包括进样室、黑硅制备腔室、介质膜制备腔室、掺杂膜制备腔室、透明电极制备腔室以及出样室,各室外设置真空泵组,各室内设置有滚轮组,镂空载板可在各室之间的滚轮组上往复移动;各输送料道上分别设置有真空阀;介质膜制备腔室和掺杂膜制备腔室结构相同,分别包括第一壳体,第一滚轮组的上下分别设置有阳极,楼板载板做阴极;透明电极制备腔室包括第二壳体,第二滚轮组的上下分别设设置有ITO靶材做阳极,楼板载板做阴极。可以一次性将硅片两面制备介质膜。同时,掺杂硅薄膜层也在一个腔体完成。 | ||
搜索关键词: | 基于 接触 太阳能电池 在线 制备 设备 | ||
【主权项】:
一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备,其特征是,包括依次经输送料道连通的进样室(1)、黑硅制备腔室(2)、介质膜制备腔室(4)、掺杂膜制备腔室(6)、透明电极制备腔室(8)以及出样室(9),所述进样室(1)、黑硅制备腔室(2)、介质膜制备腔室(4)、掺杂膜制备腔室(6)、透明电极制备腔室(8)以及出样室(9)上分别设置有用于对其进行抽真空的真空泵组,所述进样室(1)、黑硅制备腔室(2)、介质膜制备腔室(4)、掺杂膜制备腔室(6)、透明电极制备腔室(8)以及出样室(9)上内分别设置有滚轮组,镂空载板(12)可在各室之间的滚轮组上往复移动;各输送料道上分别设置有真空阀;所述的介质膜制备腔室(4)和掺杂膜制备腔室(6)结构相同,分别包括第一壳体,第一壳体内的滚轮组为第一滚轮组,所述第一滚轮组的上下分别设置有阳极(41),所述阳极(41)上开设有小孔;楼板载板移动至第一壳体内时做阴极,镂空载板(12)上下两端分别距离阳极(41)的间距为3‑5cm;所述透明电极制备腔室(8)包括第二壳体,第二壳体内的滚轮组为第二滚轮组,第二滚轮组的上下分别设设置有ITO靶材(81)做阳极,所述ITO靶材(81)上开设有小孔;楼板载板移动至第二壳体内时做阴极,所述镂空载板(12)的上下分别距离ITO靶材(81)的间距10‑15cm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学,未经常州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611242128.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的