[发明专利]一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构有效

专利信息
申请号: 201611236567.4 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106532212B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 胡彦胜;符博;丁卓富;管玉静;孙思成 申请(专利权)人: 成都雷电微力科技股份有限公司
主分类号: H01P5/08 分类号: H01P5/08
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 韩洋;王芸
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及毫米波无源射频电路技术领域,特别涉及基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构。本发明提供一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构,通过使用陶瓷介质微带线,利用陶瓷高达9.8的介电常数,仅仅通过调整微带线不同位置的宽度,并结合微带线其他固有特性(如陶瓷介质层厚度)即可实现现有技术中的电容电感器件特性,因此不需要再在电路中引入额外的电容、电感器件,也不需要使用高密度金属化过孔的类同轴结构,可有效降低射频端口电压驻波比、传输损耗等指标对设计容差、加工容差、工艺容差的敏感度,有助于提升设计、加工、制造的一次成品率,同时陶瓷介质微带线在批量加工时单价急剧下降,从而本发明可在成本显著降低的前提下,保证较优的射频性能。
搜索关键词: 一种 基于 陶瓷 微带 射频 垂直 过渡 结构
【主权项】:
一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构,包括,射频芯片、微带线以及射频同轴连接器;所述射频芯片通过所述微带线与所述射频同轴连接器连接;其特征在于,所述微带线为陶瓷介质微带线,其通过第一金丝与所述射频芯片输出端口连接;通过第二金丝与所述射频同轴连接器波针连接;所述陶瓷介质微带线包括依次连接的第一匹配段、第二匹配段、第三匹配段以及第四匹配段,其中,所述第一匹配段的自由端与第一金丝连接;第四匹配段的自由端与第二金丝连接;第一匹配段用于和所述第一金丝组成第一LC等效电路以和所述输出端口进行阻抗匹配;第二匹配段的特性阻抗与所述输出端口相同;所述第四匹配段用于和第二金丝组成第二LC等效电路以和所述波针进行阻抗匹配;所述第三匹配段用于所述第二匹配段与第二LC等效电路进行阻抗匹配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都雷电微力科技股份有限公司,未经成都雷电微力科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611236567.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top