[发明专利]一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构有效
申请号: | 201611236567.4 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106532212B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 胡彦胜;符博;丁卓富;管玉静;孙思成 | 申请(专利权)人: | 成都雷电微力科技股份有限公司 |
主分类号: | H01P5/08 | 分类号: | H01P5/08 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 韩洋;王芸 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及毫米波无源射频电路技术领域,特别涉及基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构。本发明提供一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构,通过使用陶瓷介质微带线,利用陶瓷高达9.8的介电常数,仅仅通过调整微带线不同位置的宽度,并结合微带线其他固有特性(如陶瓷介质层厚度)即可实现现有技术中的电容电感器件特性,因此不需要再在电路中引入额外的电容、电感器件,也不需要使用高密度金属化过孔的类同轴结构,可有效降低射频端口电压驻波比、传输损耗等指标对设计容差、加工容差、工艺容差的敏感度,有助于提升设计、加工、制造的一次成品率,同时陶瓷介质微带线在批量加工时单价急剧下降,从而本发明可在成本显著降低的前提下,保证较优的射频性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 陶瓷 微带 射频 垂直 过渡 结构 | ||
【主权项】:
一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构,包括,射频芯片、微带线以及射频同轴连接器;所述射频芯片通过所述微带线与所述射频同轴连接器连接;其特征在于,所述微带线为陶瓷介质微带线,其通过第一金丝与所述射频芯片输出端口连接;通过第二金丝与所述射频同轴连接器波针连接;所述陶瓷介质微带线包括依次连接的第一匹配段、第二匹配段、第三匹配段以及第四匹配段,其中,所述第一匹配段的自由端与第一金丝连接;第四匹配段的自由端与第二金丝连接;第一匹配段用于和所述第一金丝组成第一LC等效电路以和所述输出端口进行阻抗匹配;第二匹配段的特性阻抗与所述输出端口相同;所述第四匹配段用于和第二金丝组成第二LC等效电路以和所述波针进行阻抗匹配;所述第三匹配段用于所述第二匹配段与第二LC等效电路进行阻抗匹配。
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