[发明专利]微型压阻式压力传感器有效

专利信息
申请号: 201611235039.7 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN107024303B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 殷宏林;江政祎;黄煜哲 申请(专利权)人: 亚太优势微系统股份有限公司
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军;孙金瑞
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种微型压阻式压力传感器,包含一基材及一元件结构层。该基材形成有一振动空间。该元件结构层位于该基材上并具有一上表面,且于该上表面形成一与该振动空间位置相对应的凹槽并借此形成一介于该凹槽与该振动空间之间的可振动的薄膜。该凹槽由该薄膜及一连接该薄膜与该上表面的侧壁面所界定。该元件结构层还由离子植入形成一离子浓度较低的压阻区及一离子浓度较高的导线区,其中该压阻区从该薄膜延伸通过该侧壁面至该上表面,该导线区与该压阻区连接并分布在该上表面。
搜索关键词: 微型 压阻式 压力传感器
【主权项】:
1.一种微型压阻式压力传感器,包含:一基材;其特征在于:该基材形成有一振动空间,且该微型压阻式压力传感器还包含一元件结构层;该元件结构层位于该基材上并具有一上表面,且于该上表面形成一与该振动空间位置相对应的凹槽并借此形成一介于该凹槽与该振动空间之间的可振动的薄膜,该凹槽由该薄膜及一连接该薄膜与该上表面的侧壁面所界定,该元件结构层还由离子植入形成一离子浓度较低的压阻区及一离子浓度较高的导线区,其中该压阻区从该薄膜延伸通过该侧壁面至该上表面,该导线区与该压阻区连接并分布在该上表面。
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