[发明专利]用于电子级多晶硅尾气纯化的多层吸附塔在审
| 申请号： | 201611233841.2 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106512644A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;徐玲锋;梁帅军 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/04 | 分类号： | B01D53/04;C01B3/56 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电子级多晶硅尾气纯化的多层吸附塔，一种用于电子级多晶硅尾气纯化的多层吸附塔，塔体通过若干层塔板分为若干个塔室，塔顶设有气体出口管和塔底设有气体入口管；所述塔体外部绕有中空的外盘管，所述外盘管的两端设有外盘管入口和外盘管出口。所述塔室内填充有吸附材料，不同塔室中填有多种类型的吸附材料，如分子筛、不同孔径的活性炭，使用本发明的多层吸附塔纯化电子级多晶硅尾气可以有效提高对于氢气提纯的效率，并以得到的高纯度的氢气为原料能够生产出更高纯度的集成电路用半导体级多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 多晶 尾气 纯化 多层 吸附 | ||
【主权项】：
一种用于电子级多晶硅尾气纯化的多层吸附塔，其特征在于，塔体通过若干层塔板分为若干个塔室，塔顶设有气体出口管和塔底设有气体入口管；所述塔体外部绕有中空的外盘管，所述外盘管的两端设有外盘管入口和外盘管出口。
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