[发明专利]高分子薄膜极化方法及装置、极化膜、电子器件有效
| 申请号： | 201611222575.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106876579B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王开安 | 申请（专利权）人： | 王开安 |
| 主分类号： | H01L41/257 | 分类号： | H01L41/257;H01L41/08 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 美国加利福*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及高分子薄膜极化方法及装置、极化膜、电子器件。一种高分子薄膜极化方法及装置，利用X射线电离待极化高分子薄膜上方的环境气体并在所述高电场作用下，穿过所述低电场而沉积在所述高分子薄膜表面，使所述高分子薄膜内形成沿所述薄膜厚度方向的膜内电场，从而完成所述高分子薄膜的极化。能有效提高极化膜的生产合格率，减少环境污染。本发明还提供一种极化膜，采用上述高分子薄膜极化方法制备得到，具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明还提供一种电子器件，基底以及原位形成于所述基底上的极化膜，有效拓宽该电子器件的应用并增强其竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 薄膜 极化 方法 装置 电子器件 | ||
【主权项】：
一种高分子薄膜极化方法，其特征在于：包括：提供待极化高分子薄膜并使该薄膜电势为零，在所述待极化高分子薄膜上方提供高电场以及一个低电场，所述高电场电势高于所述低电场的电势，采用X射线电离待极化高分子薄膜上方的环境气体并在所述高电场作用下，穿过所述低电场而沉积在所述高分子薄膜表面，使所述高分子薄膜内形成沿所述薄膜厚度方向的膜内电场，从而完成所述高分子薄膜的极化。
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