[发明专利]一种晶体管欧姆接触电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体管欧姆接触电极的制备方法，是提供包括重掺杂p型GaAs层以及InGaP层的半导体基底，于InGaP层上方涂覆光阻并通过曝光、显影形成至少一显开区域，沉积金属于显开区域之内形成金属层，然后剥离光阻，于385‑430 ℃下合金60‑180 s。在p型GaAs层的厚度不小于50 nm，InGaP层的厚度为30‑50 nm且金属层底部至少包括20‑50 nm Pt 的条件下，金属层底部扩散通过InGaP层并与p型GaAs层实现了欧姆接触，省却了对InGaP层蚀刻的步骤，使整个制程变得简单、省时，可控性大幅改善，提高了产品的良率以及生产效率。

主权项

一种晶体管欧姆接触电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）提供或形成半导体基底，所述半导体基底包括重掺杂的p型GaAs层以及设于所述p型GaAs层之上的InGaP层，其中所述p型GaAs层的厚度不小于50 nm，所述InGaP层的厚度为30‑50 nm；2）于所述InGaP层上方涂覆光阻并通过曝光、显影形成至少一显开区域，所述显开区域内的所述InGaP层表面裸露；3）沉积金属，然后剥离光阻，形成对应于所述显开区域内的金属层，所述金属层至少包括直接与所述InGaP层接触的第一Pt层，且所述第一Pt层的厚度为20‑50 nm；4）于385‑430 ℃下合金60‑180 s，所述金属层底部扩散通过所述InGaP层并与所述p型GaAs层形成欧姆接触以制得所述电极。