[发明专利]一种SiC纳米线和SiC-MoSi2-CrSi2涂层共生长的制备方法

摘要

本发明涉及一种SiC纳米线和SiC‑MoSi₂‑CrSi₂涂层共生长的制备方法，利用包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线和SiC‑MoSi₂‑CrSi₂涂层。将密度为1.63～1.75g/cm³的C/C复合材料试样清洗后烘干备用；配制一定比例的包埋粉料，放置于全程开氩气保护真空加热炉中。最终制得C/C‑SiC纳米线/SiC‑MoSi₂‑CrSi₂涂层复合材料。本发明采用过渡涂层和纳米线共生长的方法可以来缓解涂层之间的热膨胀失配问题，提高陶瓷涂层的韧性，降低陶瓷涂层的开裂趋势，最终提高涂层的抗氧化性能。与传统的纳米线增韧或者用过渡涂层来缓解热应力失配，提高结合力相比，且一次制备过程能降低材料多次制备过程中受热破坏，提高陶瓷涂层的韧性，降低陶瓷涂层的开裂趋势，提高陶瓷涂层的抗氧化能力。

主权项

1.一种SiC纳米线和SiC‑MoSi₂‑CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将质量百分比为10‑20％的MoSi₂粉，65‑80％的Si粉，10‑20％的Cr粉，5％‑10％的C粉置于松脂球磨罐 中，球磨混合处理2‑4小时，干燥12小时得到粉料；步骤2：将部分粉料放入石墨坩埚中，再放入预处理后的C/C复合材料，再放入部分粉料将C/C复合材料覆盖；步骤3：将石墨坩埚放入真空加热炉中，以5‑10℃/min升温速率将炉温从室温升至1800‑2300℃，保温1‑5小时；随后以10‑50℃/min的速率降至室温，整个过程以氩气保护；开炉后取出石墨坩埚，将碳/碳复合材料取出，获得SiC纳米线和SiC‑MoSi₂‑CrSi₂涂层共生长的复合材料。