[发明专利]一种SiC纳米线和SiC-MoSi2-CrSi2涂层共生长的制备方法

权利要求书

1.一种SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：将质量百分比为10-20％的MoSi₂粉，65-80％的Si粉，10-20％的Cr粉，5％-10％的C粉置于松脂球磨罐 中，球磨混合处理2-4小时，干燥12小时得到粉料；

步骤2：将部分粉料放入石墨坩埚中，再放入预处理后的C/C复合材料，再放入部分粉料将C/C复合材料覆盖；

步骤3：将石墨坩埚放入真空加热炉中，以5-10℃/min升温速率将炉温从室温升至1800-2300℃，保温1-5小时；随后以10-50℃/min的速率降至室温，整个过程以氩气保护；开炉后取出石墨坩埚，将碳/碳复合材料取出，获得SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的复合材料。

2.根据权利要求1所述SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于：所述C/C复合材料的预处理：将C/C复合材料采用砂纸打磨抛光，然后依次分别用水和无水乙醇超声清洗15-20min，在干燥箱中烘干。

3.根据权利要求1所述SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于：所述Si粉的纯度为99.5％，粒度为300目。

4.根据权利要求1所述SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于：所述MoSi₂粉的纯度为99.9％，粒度为300目。

5.根据权利要求1所述SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于：所述Cr粉的纯度为99.9％，粒度为300目。

6.根据权利要求1所述SiC纳米线和SiC-MoSi₂-CrSi₂涂层共生长的制备方法，其特征在于：所述C粉的纯度为99％，粒度为300目。