[发明专利]DRAM短路分析方法在审
| 申请号： | 201611196363.2 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106841893A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王家松;钱娇 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM的检测方法，尤其是DRAM短路分析方法，包含以下步骤步骤1，通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；步骤2，通过万用表对步骤1中所述区域进行短路检测，确定短路的两个引脚；步骤3，将步骤2中所述两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。步骤2中所述短路检测的引脚根据锡球位置图确定两个引脚。本发明提供的DRAM短路分析方法简单、准确，快速确定是芯片短路还是基板上金线短路。 | ||
| 搜索关键词： | dram 短路 分析 方法 | ||
【主权项】：
DRAM短路分析方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；步骤2，通过万用表对步骤1中所述区域进行短路检测，确定短路的两个引脚；步骤3，将步骤2中所述两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。
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