[发明专利]应用于可重构全息天线的Ge基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种应用于可重构全息天线的Ge基等离子pin二极管的制备方法，该制备方法包括选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成Ge基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基等离子pin二极管。

主权项

一种应用于可重构全息天线的Ge基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述Ge基等离子pin二极管用于制作可重构全息天线，所述可重构全息天线包括：GeOI半导体基片(1)；制作在所述GeOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的Ge基等离子pin二极管串，所述全息圆环(14)包括多个Ge基等离子pin二极管串(w7)；所述制备方法包括步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，在所述GeOI衬底表面形成第一保护层；利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以形成隔离槽，且所述隔离槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；填充所述隔离槽以形成所述Ge基等离子pin二极管的所述隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(c)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；(d)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；(e)在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基等离子pin二极管的制备。