[发明专利]一种多晶硅太阳能电池在审
| 申请号： | 201611169644.9 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106784034A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 袁献武 | 申请（专利权）人： | 袁献武 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 546200 广西壮族自治区*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅太阳能电池，该多晶硅太阳能电池包括由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅，制备得到的多晶硅太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种多晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅阵列、p型硅基底和金属背电极，其中：透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅阵列均为方波结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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