[发明专利]用于测定薄层的导热性的测量芯片和方法有效
| 申请号： | 201611151226.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107037076B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 林塞斯·文森特;弗克雷·弗里德曼 | 申请（专利权）人： | 林赛斯测量仪器有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/18 | 分类号： | G01N25/18;G01N27/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 郭婧婧;程玲 |
| 地址： | 德国威列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适于测定薄层的导热性的测量芯片。所述测量芯片包括具有凹槽(15)的衬底(14)和以覆盖所述凹槽(15)的方式被施覆至所述衬底(14)的膜片(16)。在所述膜片(16)上施覆有加热丝(17)。根据本发明，在所述膜片(16)上设有测量场限制件(18，19)，所述测量场限制件以部分覆盖所述凹槽(15)的方式布置在所述衬底(14)中。此外，本发明还涉及一种测定薄层的导热性的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测定 薄层 导热性 测量 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测定薄层的导热性的测量芯片，包括具有凹槽(15)的衬底(14)、以覆盖所述凹槽(15)的方式被施覆至所述衬底(14)的由电绝缘材料构成的膜片(16)和被施覆至所述膜片(16)的加热丝，所述加热丝与所述凹槽(15)叠加，其特征在于，在所述膜片(16)上布置有部分覆盖所述凹槽(15)的测量场限制件(18，19)。
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