[发明专利]用于测定薄层的导热性的测量芯片和方法

权利要求书

1.一种用于测定薄层的导热性的测量芯片，包括具有凹槽(15)的衬底(14)、以覆盖所述凹槽(15)的方式被施覆至所述衬底(14)的由电绝缘材料构成的膜片(16)和被施覆至所述膜片(16)的加热丝，所述加热丝与所述凹槽(15)叠加，其特征在于，所述加热丝的至少一端位于所述凹槽的区域中，在所述膜片(16)上布置有部分覆盖所述凹槽(15)的第一测量场限制件，所述第一测量场限制件包括两个与所述加热丝(17)电绝缘的区段(18)，所述第一测量场限制件包括两个与所述加热丝(17)电连接的接触区域(19)。

2.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于，所述加热丝(17)在所述与所述加热丝(17)电绝缘的区段(18)之间延伸。

3.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于，所述加热丝(17)与所述第一测量场限制件布置在所述膜片(16)的一个面上。

4.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于，通过所述第一测量场限制件的边缘的至少70％，形成所述测量场的处于所述凹槽(15)内的周界线。

5.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于，所述第一测量场限制件由金和/或铂构成。

6.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于，绝缘层(22)以遮盖的方式被施覆至所述加热丝(17)和所述第一测量场限制件。

7.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于具有第一测量场限制件的第一测量场和具有第二测量场限制件(28)的第二测量场，其中所述第一测量场的面积小于所述第二测量场的面积。

8.根据权利要求7所述的测量芯片，其特征在于，与所述第一测量场叠加的加热丝(17)和与所述第二测量场叠加的加热丝(27)具有相同长度。

9.根据权利要求1所述的测量芯片，其特征在于测量装置，所述测量装置适于测定在所述凹槽(15)的区域中被施覆至所述膜片(16)的样品层(20)的导热性。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的测量芯片，其特征在于测量装置，其适于测定被施覆在第三测量场中的样品层(20)的导电性(40)和/或塞贝克系数(41)。

11.一种测定薄层的导热性的方法，其中通过被施覆在膜片(16)上的加热丝(17)输入加热功率(35)并测量所述加热丝(17)的升温(36)，其中所述加热丝(17)在测量场限制件内布置在所述膜片(16)上，所述加热丝的至少一端位于凹槽的区域中，所述测量场限制件以部分覆盖承载所述膜片(16)的衬底的凹槽(15)的方式布置，所述测量场限制件包括两个与所述加热丝(17)电绝缘的区段(18)，所述测量场限制件包括两个与所述加热丝(17)电连接的接触区域(19)。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，将样品层(20)施覆至所述膜片(16)。

13.根据权利要求11或12中任一项所述的方法，其特征在于，将遮盖层(30)施覆至样品层(20)，其中所述遮盖层(30)的厚度大于所述膜片(16)的厚度至少10倍。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述遮盖层(30)由导热性较高的材料构成。