[发明专利]磁记录介质用基底有效
| 申请号： | 201611150375.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107017010B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 幸松孝治;村濑功;杉本公德;小林智也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73;G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;孟伟青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质用基底，包括：衬底，其由铝合金制成；以及膜，其由NiP基合金制成并设置在所述衬底上，其中，所述衬底的铝合金含有0.2质量％～6质量％范围内的Mg、3质量％～17质量％范围内的Si、0.05质量％～2质量％范围内的Zn、及0.001质量％～1质量％范围内的Sr，所述衬底的合金结构中的Si颗粒的平均粒径为2μm以下，所述膜具有10μm以上厚度，所述衬底具有53mm以上的外径、0.9mm以下的厚度、及79GPa以上的杨氏模量。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 基底 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质用基底，包括：衬底，其由铝合金制成；以及膜，其由NiP基合金制成并设置在所述衬底上，其特征在于，所述衬底的铝合金含有0.2质量％～6质量％范围内的Mg、3质量％～17质量％范围内的Si、0.05质量％～2质量％范围内的Zn、及0.001质量％～1质量％范围内的Sr，所述衬底的合金结构中的Si颗粒的平均粒径为2μm以下，所述膜具有10μm以上厚度，所述衬底具有53mm以上的外径、0.9mm以下的厚度、及79GPa以上的杨氏模量。
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