[发明专利]磁记录介质用基底有效
| 申请号： | 201611150375.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107017010B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 幸松孝治;村濑功;杉本公德;小林智也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73;G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;孟伟青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 基底 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁记录介质用基底，包括：
衬底，其由铝合金制成；以及
膜，其由NiP基合金制成并设置在所述衬底上，
其特征在于，
所述衬底的铝合金含有0.2质量％～6质量％范围内的Mg、3质量％～17质量％范围内的Si、0.05质量％～2质量％范围内的Zn、及0.001质量％～1质量％范围内的Sr，
所述衬底的合金结构中的Si颗粒的平均粒径为2μm以下，
所述膜具有10μm以上厚度，
所述衬底具有53mm以上的外径、0.9mm以下的厚度、及79GPa以上的杨氏模量。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质用基底，其中，所述膜由包含15质量％～35质量％范围内的P的NiP合金制成。
3.根据权利要求1所述的磁记录介质用基底，其中，所述膜由包含15质量％～22质量％范围内的W和3质量％～10质量％范围内的P的NiWP基合金制成。
4.根据权利要求1所述的磁记录介质用基底，其中，所述磁记录介质用基底是在所述衬底上镀覆有所述膜的镀覆基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611150375.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
