[发明专利]一种线型微纳材料扭转性能测量用MEMS谐振式扭矩传感器有效
申请号: | 201611141574.6 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN106525304B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 韦学勇;王曙东;翁寅生;任娟;蒋庄德 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01L3/04 | 分类号: | G01L3/04 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种线型微纳材料扭转性能测量用MEMS谐振式扭矩传感器,包括单晶硅基底、二氧化硅绝缘层和单晶硅结构层,单晶硅结构层包括两个“Z”字形微放大梁,其杠杆梁顶部与输入梁连接,杠杆梁底部与输出梁的一端连接,杠杆梁中下部通过支点梁与两个杠杆梁之间的第五锚点连接,输入梁通过连接梁固定于第四锚点上,两个相对的输入梁之间连接的键上安装有待测线型微纳材料,输出梁的另一端和双端固定谐振音叉连接,双端固定谐振音叉与第三锚点连接,双端固定谐振音叉的平板电容组固定于第一、第二锚点上,除锚点外的结构处于悬空状态;通过第一、第二、第三锚点上溅射的金属电极板,整个传感器被置于一个自激振荡电路中,本发明体积小、灵敏度高、测量范围大。 | ||
搜索关键词: | 锚点 杠杆梁 谐振 微纳材料 双端 音叉 单晶硅结构 扭矩传感器 扭转性能 测量 谐振式 二氧化硅绝缘层 自激振荡电路 单晶硅 金属电极板 平板电容 悬空状态 一端连接 输出 连接梁 灵敏度 体积小 支点梁 传感器 基底 溅射 大梁 | ||
【主权项】:
1.一种线型微纳材料扭转性能测量用MEMS谐振式扭矩传感器,包括单晶硅基底(1),单晶硅基底(1)上生长一层二氧化硅绝缘层(2),二氧化硅绝缘层(2)上设有单晶硅结构层(3),其特征在于:单晶硅结构层(3)包括两个相对的“Z”字形微放大梁,每个“Z”字形微放大梁包括输入梁(10‑1)、杠杆梁(10‑2)、支点梁(10‑3)和输出梁(10‑4),杠杆梁(10‑2)顶部与输入梁(10‑1)连接,杠杆梁(10‑2)底部与输出梁(10‑4)的一端连接,杠杆梁(10‑2)中下部与支点梁(10‑3)的一端连接,输入梁(10‑1)通过连接梁(11)固定于第四锚点(12‑4)上,两个相对的输入梁(10‑1)上刻蚀出孔,两个孔共同组成键槽(16)并安装有键(17),键(17)安装有待测线型微纳材料(17‑1),支点梁(10‑3)的另一端与两个杠杆梁(10‑2)之间的第五锚点(12‑5)连接;输出梁(10‑4)的另一端和双端固定谐振音叉(13)的底部连接,双端固定谐振音叉(13)的顶部与第三锚点(12‑3)连接,双端固定谐振音叉(13)由两根竖长谐振梁构成,双端固定谐振音叉(13)的两侧分别设置有第一平板电容组(14‑1)和第二平板电容组(14‑2),第一平板电容组(14‑1)的另一侧固定于第一锚点(12‑1)上,第二平板电容组(14‑2)的另一侧固定于第二锚点(12‑2)上;除了所述锚点以外,其余结构下方的二氧化硅绝缘层(2)和单晶硅基底(1)都被刻蚀掉,即都处于悬空状态;在第一锚点(12‑1)、第二锚点(12‑2)、第三锚点(12‑3)上设有溅射的金属电极板,分别为第一金属电极板(15‑1)、第二金属电极板(15‑2)和第三金属电极板(15‑3);第三金属电极板(15‑3)和直流电源连接,第一金属电极板(15‑1)依次通过放大器(18‑1)、带通滤波器(18‑2)、移相电路(18‑3)、比较器(18‑4)、增益调节电路(18‑5)和第二金属电极板(15‑2)连接,放大器(18‑1)、带通滤波器(18‑2)、移相电路(18‑3)、比较器(18‑4)和增益调节电路(18‑5)形成自激振荡电路,比较器(18‑4)的输出还连接有频率测量装置(18‑6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611141574.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光束投射点的位置标记方法和装置
- 下一篇:一种减小压阻传感器温度漂移的方法