[发明专利]复合衬底、半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201611140373.4 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106784217A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法，所述复合衬底的制备方法包括以下步骤1）提供生长衬底；2）在所述生长衬底表面形成氮化物缓冲层；3）在所述氮化物缓冲层表面形成半导体介质叠层结构；4）将所述半导体介质叠层结构图形化，以在所述氮化物缓冲层表面形成周期性间隔分布凸起结构。本发明通过在氮化物缓冲层表面形成呈周期性阵列分布的凸起结构，可以提高在所述复合衬底表面形成的半导体器件的出光效率，降低在所述复合衬底表面形成的外延层中的位错密度；同时，由于所述凸起结构中各层与在所述复合衬底表面形成的半导体器件中的GaN层具有较大的反射率差，可以提高在所述复合衬底表面形成的半导体器件的出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合衬底的制备方法，其特征在于，所述复合衬底的制备方法包括以下步骤：1)提供生长衬底；2)在所述生长衬底表面形成氮化物缓冲层；3)在所述氮化物缓冲层表面形成半导体介质叠层结构；4)将所述半导体介质叠层结构图形化，以在所述氮化物缓冲层表面形成周期性间隔分布的凸起结构。
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