[发明专利]一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法有效
| 申请号： | 201611131067.4 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615808B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张云森;麻榆阳;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法，包括：在底电极基底上依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜层和牺牲掩模膜层；形成含碳图膜层、无机抗反射层和光刻胶层，用光刻工艺图形化定义形成第一层图案；等离子预处理第一层图案光刻胶层；采用反应离子刻蚀工艺把第一层图案图形转移到硬掩模层；除去残留的含碳图膜层和聚合物；再次形成含碳图膜层、无机抗反射层和光刻胶层，用光刻工艺图形化定义形成第二层图案；等离子体预处理第二层图案光刻胶层；采用反应离子刻蚀工艺把第二层图案转移到硬掩模膜层，在第一层图案和第二层图案的交叉处，最终形成图形化定义的硬掩模；除去残留的含碳图膜层和聚合物；对磁性隧道结多层膜进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 两次 图案 制做 磁性 隧道 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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