[发明专利]一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器

摘要

本发明公开了一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括衬底和在所述衬底自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层，所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅，用于接收入射光波；所述吸收层用于吸收光波；所述下掺杂层和所述上掺杂层用于引出所述红外偏振探测器的两个电极。本发明采用二维的周期性非对称结构金属光栅，可以与探测的光波发生耦合，激发表面等离子体效应，表面等离子体效应能将光场局域化在金属和半导体附近，可以提高探测器效率；同时非对称的光栅结构在不同偏振方向入射光照射下产生的电磁振荡强度不同，可以实现偏振光探测。

主权项

一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括衬底和在所述衬底上自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层，其中所述下掺杂层、吸收层、上掺杂层构成pin结构；所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅，用于接收入射光波，所述非对称结构是指在互相垂直的两个方向上图形尺寸不相同。