[发明专利]多个背栅极晶体管有效
| 申请号： | 201611113782.5 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107342258B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | T·B·霍克;R·A·费尔普斯;A·K·斯坦珀;R·A·卡米略-卡斯蒂略 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多个背栅极晶体管。本发明是关于半导体结构，尤指多个背栅极晶体管结构以及制造方法。该结构包括：晶体管，形成于半导体材料及下方基板上方；以及多个隔离接触区，位于该晶体管的本体或通道下方，构造成在不同位置向该晶体管的该本体提供局部电位。 | ||
| 搜索关键词： | 多个背 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：晶体管，形成于半导体材料及下方基板上方；以及多个隔离接触区，位于该晶体管的本体下方，构造成在不同位置向该晶体管的该本体或通道提供局部电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
