[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池在审
申请号: | 201611100126.1 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106486555A | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 梁结平 | 申请(专利权)人: | 梁结平 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括自下而上依次设置的玻璃衬底、金属背电极层,第一扩散阻挡层、低电阻接触层,镁掺杂石墨烯钝化层、碲化镉吸收层、硫化镉窗口层、氟化石墨烯高阻层、透明导电氧化物层、第二扩散阻挡层以及背支撑基板,本发明的优点在于,所述镁掺杂石墨烯钝化层具有和碲化镉吸收层接近的功函数,有益于对碲化镉吸收层中产生的空穴的收集和传输,同时还保留了石墨烯优良的电学性能,能够很好地抑制相邻的金属材料被氧化,也可以作为钝化层,阻止不同薄层之间原子或离子的扩散,有效地阻止了低电阻接触层中的铜扩散,同时有效降低太阳能电池的退化速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于,包括自下而上依次设置的玻璃衬底、金属背电极层,第一扩散阻挡层、低电阻接触层,镁掺杂石墨烯钝化层、碲化镉吸收层、硫化镉窗口层、氟化石墨烯高阻层、透明导电氧化物层、第二扩散阻挡层以及背支撑基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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