[发明专利]一种含栅电极的可调制光离子化传感器及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201611099591.8 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN108152359A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 钱永彪 申请(专利权)人: 上海苏萨电子科技有限公司
主分类号: G01N27/66 分类号: G01N27/66
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张欣
地址: 201108 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种含栅电极的可调制光离子化传感器及其操作方法。根据本申请的一种光离子化传感器,包括:设置在电离室内的电极结构,所述电极结构包括:偏置电极;离子收集电极;以及栅电极,其位于所述偏置电极和离子收集电极之间,且栅电极电位可调。通过调制栅极电位,可以在不使用清洁空气的情况下进行零点校正,和/或可以改善光离子化传感器的输出信号强度和线性度。
搜索关键词: 栅电极 离子化传感器 离子收集电极 电极结构 光离子化 偏置电极 调制光 传感器 栅电极电位 零点校正 清洁空气 输出信号 栅极电位 电离 线性度 可调 调制 室内 申请
【主权项】:
一种光离子化传感器,包括:设置在电离室内的电极结构,所述电极结构包括:偏置电极;离子收集电极;以及栅电极,其位于所述偏置电极和离子收集电极之间,且栅电极电位可调。
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