[发明专利]背面金属格栅的制作方法有效
| 申请号： | 201611097321.3 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106356415B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 谢岩;刘选军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背面金属格栅的制作方法，其包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底背面依次形成有光电信号传输层、氮化钛保护层、硬掩膜层以及图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，采用含氟气体对所述硬掩膜层和部分氮化钛保护层进行刻蚀；在刻蚀所述氮化钛保护层的腔体内进行去胶工艺；对所述半导体器件进行清洗；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钛保护层和所述光电信号传输层进行刻蚀，形成背面金属格栅。本发明解决了采用传统的背面金属格栅的制作方法形成的金属格栅侧壁粗糙的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属格栅 保护层 氮化钛 硬掩膜层 背面 刻蚀 光电信号传输 光阻层 图形化 掩膜 半导体 制作 半导体器件 侧壁粗糙 衬底背面 含氟气体 去胶工艺 传统的 衬底 清洗 体内 | ||
【主权项】：
1.一种背面金属格栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底背面依次形成有光电信号传输层、氮化钛保护层、硬掩膜层以及图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，采用含氟气体对所述硬掩膜层和部分氮化钛保护层进行刻蚀；在刻蚀所述氮化钛保护层的腔体内进行去胶工艺，所述去胶工艺的温度在45℃～50℃；对半导体器件进行清洗；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钛保护层和所述光电信号传输层进行刻蚀，形成背面金属格栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
