[发明专利]用于热处理腔室的边缘环有效
| 申请号： | 201611097035.7 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107039330B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 布莱克·凯尔梅尔;约瑟夫·M·拉内什;阿布拉什·J·马约尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;F27D11/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 热处理 边缘 | ||
【主权项】：
一种用以于处理腔室中支撑基板的边缘环，所述边缘环包含：环形主体，所述环形主体由内缘、外缘、上侧及下侧所界定，其中所述内缘及所述外缘绕中心轴而同心；唇部，所述唇部由所述环形主体的所述内缘向内径向延伸，所述唇部形成与所述内缘同心的中心开口；和一或更多个表面面积增加结构，所述一或更多个表面面积增加结构由所述环形主体的所述上侧或下侧的至少一侧延伸，其中所述一或更多个表面面积增加结构具有至少一个倾斜侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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