[发明专利]执行储存型快闪记忆体命令的方法和装置有效
| 申请号： | 201611090092.2 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122583B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 侯新宇;黄平;严春宝 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 罗振安 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及执行储存型快闪记忆体命令的方法和装置。本发明公开了一种执行nandflash命令的方法和装置，属于计算机技术领域。通过nandflash控制器包括的可编程处理器执行管理命令、读数据命令的控制子命令和写数据命令的控制子命令，通过nandflash控制器包括的数据读写逻辑电路执行读数据命令的数据子命令和写数据命令的数据子命令；可编程嵌入式处理器和数据读写逻辑电路的切换由可编程嵌入式处理器控制，兼容了可编程处理器的灵活可编程和数据读写逻辑电路的高效并发处理的优点，这样nandflash控制器既高效又能兼容不同厂家，不同型号的nandflash存储器的nandflash命令，提高了nandflash控制器的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 执行 储存 型快闪 记忆体 命令 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种执行储存型快闪记忆体命令的方法，其特征在于，应用在储存型快闪记忆体nandflash控制器中，所述nandflash控制器包括可编程处理器和数据读写逻辑电路，所述方法包括：通过所述可编程处理器接收nandflash命令，所述nandflash命令用于对所述nandflash控制器关联的nandflash存储器进行操作；如果所述nandflash命令为管理命令，通过所述可编程处理器模拟循环cycle输出第一接口时序，根据所述第一接口时序，对所述nandflash存储器执行所述nandflash命令；如果所述nandflash命令为读数据命令或者写数据命令，通过所述可编程处理器获取所述nandflash命令包括的控制子命令和数据子命令，模拟cycle输出第二接口时序，根据所述第二接口时序，对所述nandflash存储器执行所述控制子命令，通过所述数据读写逻辑电路输出第三接口时序，根据所述第三接口时序，对所述nandflash存储器执行所述数据子命令。
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