[发明专利]UTC型InGaAs光电探测器及其制作方法

摘要

本申请公开了一种UTC型InGaAs光电探测器及其制作方法，该方法包括s1、在衬底上生长外延层；s2、刻蚀外延层，形成p型台阶和n型台阶；s3、采用BCB填充刻蚀台阶处，然后将BCB固化处理；s4、制作金属电极，包括在p型台阶上制备P型电极，在n型台阶上制备N型电极，以及在BCB上沉积金属形成空气桥结构。本发明以BCB胶作为填充物，介电常数低，形成空气桥结构，同时降低了器件的结面积，因此能有效地降低器件的电容，提高器件的频率响应。BCB胶作为钝化层有效地降低器件的暗电流，延长器件的使用寿命。本发明UTC光电探测器的制备，工艺简单，可控性好，易于实施，且所获器件具有良好结构特性以及优良检测性能。

主权项

一种UTC型InGaAs光电探测器，其特征在于，包括衬底、生长于所述衬底上的外延层、以及与所述外延层连接的电极，所述外延层具有刻蚀的台阶部，该台阶部填充有固化的BCB，所述固化的BCB同时作为外延层侧面的钝化层，所述固化的BCB顶面沉积有形成空气桥结构的金属。