[发明专利]全局像素电路、图像传感器及信号采集方法有效
| 申请号： | 201611079834.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106534725B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 任铮;赵宇航;温建新;李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;H04N5/351 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种全局像素电路、图像传感器及信号采集方法，采用量子点光敏电阻作为感光元件实现可见光和短波红外的探测，同时，本发明的全局硅工艺量子点像素电路中，FD节点和量子点光敏电阻分别采用彼此独立的两个电平复位管，一个对电容MOS管进行复位，另一个对信号存储电容进行复位。该像素能够将曝光之后获取的信号电平存储在电容MOS管中，在信号读出阶段再将其采样读出，从而实现了全局曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 全局 像素 电路 图像传感器 信号 采集 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全局硅工艺量子点像素电路，其特征在于，至少包括：量子点光敏电阻、信号存储电容复位MOS管以及信号读取电路单元；信号读取电路单元包括：复位开关管(M1)、传输管(M2)、源跟随器(M3)、行选开关管(M4)和MOS电容(M5)，且MOS电容(M5)为电平复位管；其中，量子点光敏电阻的一端接参考电平(Vqd)，另一端与复位开关管(M1)的源极相连；信号存储电容复位MOS管的漏极与电源(VDD)相连，信号存储电容复位MOS管的栅极与信号输入端(QDreset)相连，信号存储电容复位MOS管的源极与量子点光敏电阻的所述另一端以及MOS电容(M5)的栅极相连接；复位开关管(M1)的漏极接复位电压(Vreset)，复位开关管(M1)的栅极接像素输入端(RX)，复位开关管(M1)的源极接传输管(M2)的源极于一节点(FD)，传输管(M2)的栅极与像素单元输入端(TG)相连，以及传输管(M2)的漏极与量子点光敏电阻的所述另一端相连；MOS电容(M5)的栅极与传输管(M2)的漏极相连，MOS电容(M5)的源极和漏极与参考电平(Vqd)相连，MOS电容(M5)的体电容接地；源跟随器(M3)的漏极接电源(VDD)，源跟随器(M3)的栅极与节点(FD)相连，源跟随器(M3)的源极与行选开关管(M4)的漏极相连；行选开关管(M4)的栅极与行选输入端(RS)相连，行选开关管(M4)的源极作为整个全局硅工艺量子点像素电路的输出端；其中，曝光时，信号读取电路单元在曝光时间内将量子点光敏电阻流出的电流进行积分得到光生电压，当入射到量子点光敏电阻上的光线的强弱发生改变时导致量子点光敏电阻的阻值发生改变，从而改变流经量子点光敏电阻的电流，并且最终使光生电压的数值发生改变。
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