[发明专利]用于荧光温度探针的纳米晶材料有效
申请号: | 201611079102.2 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN106634988B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 雷磊;徐时清 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | C09K11/67 | 分类号: | C09K11/67;C09K11/02;G01K11/30 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 柯奇君 |
地址: | 310018 浙江省杭州市下沙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于无机发光材料领域。用于荧光温度探针的纳米晶材料,化学式是Yb/Er/Tm:Na3ZrF7@Na3ZrF7或Yb/Er/Tm:Na3ZrF7@Yb:Na3ZrF7。该用于荧光温度探针的纳米晶材料的优点是有效的避免了杂散光所产生的信号干扰,具有较高的探测灵敏度,能够有效的减少探测误差。 | ||
搜索关键词: | 荧光温度探针 纳米晶材料 无机发光材料 探测灵敏度 探测误差 信号干扰 杂散光 | ||
【主权项】:
1.用于荧光温度探针的纳米晶材料,其特征在于该纳米晶材料化学式是Yb/Er/Tm:Na3ZrF7@Na3ZrF7或Yb/Er/Tm:Na3ZrF7@Yb:Na3ZrF7;在980nm激光激发下,该纳米晶材料分别表现出Er3+和Tm3+在650nm和800nm处的单谱带发光,随着温度从60℃逐渐增200℃,Er3+离子位于650nm处的荧光强度不变,而Tm3+离子位于800nm处的荧光强度持续增加。
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