[发明专利]用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法有效
| 申请号： | 201611051382.6 | 申请日： | 2016-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN106552939B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | W·T·卡特;T·J·罗克斯特罗;D·G·科尼策尔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | B22F3/105 | 分类号： | B22F3/105;C30B29/52;B33Y10/00;B33Y30/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于单晶超级合金和金属的直写的方法。本方法可包括：使用第一加热器(24)将位于底板(22)上的基底(23)加热到预定温度；使用激光(26)在基底(23)表面上形成熔池(34)；将超级合金粉末(32)引入到熔池(34)；测定熔池(34)的温度；在控制器(40)处接收测定的温度；和使用与控制器(40)连通的辅助热源(41)以调节熔池(34)的温度。预定温度低于基底的熔点。激光(26)和底板(22)能够相对于彼此移动，其中激光(26)用于直接金属沉积。也大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的设备(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超级 合金 金属 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于单晶超级合金和金属的直写的方法，所述方法包括：使用第一加热器(24)将基底(23)加热到预定温度，其中，所述预定温度低于所述基底的熔点；使用激光(26)在所述基底(23)的表面上形成熔池(34)，其中，所述基底(23)位于底板(22)上，并且其中，所述激光(26)和所述底板(22)能够相对于彼此移动，所述激光(26)用于直接金属沉积；将超级合金粉末(32)引入到所述熔池(34)；测定所述熔池(34)的温度；在控制器(36)处接收测定的温度；和使用与所述控制器(36)连通的辅助热源(41)来调节所述熔池(34)的温度。
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