[发明专利]一种低反向恢复电荷平面快恢复二极管芯片

摘要

一种低反向恢复电荷平面快恢复二极管芯片，在N+型硅单晶衬底上生长有P‑型外延层，在P‑型外延层上表面内设置有P+型主结有源区；在P‑外延层和P+型主结有源区上依据需求设置有二氧化硅层、正面欧姆接触金属、钝化保护层；在N+型硅单晶衬底背面设置有背面欧姆接触金属。发明创新在于在P+型主结有源区的外侧的芯片边缘设置有N+型截至环或通过开设沟槽，通过沟槽进行N+离子扩散形成N+截至环。本发明的600V二极管芯片，相比较传统快恢复600V二极管芯片，反向恢复时间和反向电荷均低，其反向恢复时间和反向电荷接近于300V反向快恢复二极管性能，且成本低。

主权项

一种低反向恢复电荷平面快恢复二极管芯片，其特征在于在N+型硅单晶衬底上生长有P‑型外延层，在所述P‑型外延层上表面内设置有P+型主结有源区；在所述N+型硅单晶衬底、所述P‑型外延层和所述P+型主结有源区形成的硅片上形成有少子复合中心；在所述P+型主结有源区的外侧的芯片边缘设置有N+型截至环；所述N+型截至环穿透所述P‑型外延层并深入N+型硅单晶衬底层内，在部分P+型主结有源区上表面、部分N+型截至环上表面、及P+型主结有源区与N+型截至环之间的所述P‑型外延层上表面上设置有二氧化硅层；在部分所述N+型截至环区上和位于所述N+型截至环一侧的部分所述二氧化硅层上设置有连接金属层、在所述P+型主结有源区上表面和位于所述P+主结有源区两侧的部分所述二氧化硅层上面设置正面欧姆接触金属层；在所述部分N+截至环上、所述连接金属层上、所述正面欧姆接触层上面外侧部分及连接金属与正面欧姆接触金属之间的二氧化硅层上设置有钝化保护层；在所述N+型硅单晶衬底层背面设置有背面欧姆接触金属。