[发明专利]低功耗CMOS缓冲电路在审
| 申请号： | 201611047893.0 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN108075767A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 程志宏 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种CMOS缓冲电路包括第一支电路与第二支电路。第一支电路具有串联在供电电压与地之间的第一、第二晶体管。第二支电路具有串联在供电电压与地之间的第三、第四晶体管。第一、第二晶体管的栅极接收输入信号。第三、第四晶体管的栅极连接到第一、第二晶体管的漏极之间的第一节点。第三、第四晶体管的漏极之间的第二节点提供输出信号。第一、第四晶体管具有第一类型的导电沟道，第二、第三晶体管具有不同于第一类型的第二类型的导电沟道。在一种实施方式中，第一、第四晶体管为高阈值电压晶体管，第二、第三晶体管为低阈值电压晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 电路 导电沟道 供电电压 缓冲电路 漏极 串联 低阈值电压 高阈值电压 节点提供 输出信号 栅极接收 栅极连接 低功耗 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS缓冲电路，其特征在于，包括第一支电路，其中所述第一支电路包括：具有第一类型的导电沟道的第一晶体管；以及与所述第一晶体管串联的第二晶体管，其中所述第二晶体管具有不同于所述第一类型的第二类型的导电沟道；其中所述第一晶体管与第二晶体管的栅极耦接以接收输入信号；以及第一晶体管具有低于第二晶体管的阈值电压。
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