[发明专利]一种用于ESD防护的无闩锁SCR有效
| 申请号： | 201611046815.9 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106449733B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 乔明;齐钊;杨文;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电子科学与技术领域，主要用于静电泄放防护技术，具体的说是涉及一种用于ESD防护的无闩锁SCR。本发明提出SCR器件通过表面N+注入，降低了寄生PNP器件的电流放大系数，从而提高了器件的维持电压以防止闩锁效应的发生。另外，通过多个寄生PNP管对阳极电流的分流，优化了阳极的热分布，从而提高了器件的二次击穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 防护 无闩锁 scr | ||
【主权项】：
1.一种用于ESD防护的无闩锁SCR，包括P型衬底(20)；所述P型衬底上层从一端到另一端依次具有第一N阱(10)、表面N+层(03)、第二N阱(11)、阴极接触N+区(05)、和阴极接触P+区(04)；所述表面N+层(03)部分位于第一N阱(10)中，第二N阱(11)的上层与表面N+层(03)重合，且表面N+层(03)的水平宽度大于第二N阱(11)的水平宽度；所述第一N阱(10)上层具有相互独立的阳极接触N+区(01)和阳极接触P+区(02)，且阳极接触P+区(02)位于靠近表面N+层(03)的一侧；所述表面N+层(03)与阴极接触N+区(05)之间的P型衬底(20)上表面具有栅极(06)；所述阳极接触N+区(01)与阳极接触P+区(02)用金属相连构成阳极，阴极接触N+区(05)和阴极接触P+区(04)与栅极(06)相连构成阴极。
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