[发明专利]一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201611046428.5 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106409961B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张磊;倪志春;魏青竹;陆天裕;葛振华;韩志达;钱斌 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池，包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池，所述隧穿层为单层或双层氧化物结构，所述单层氧化物结构材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物的下层材质为Al2O3或SiO2。本发明还公开了这种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池的制备方法。该n‑Si/CdSSe叠层太阳电池可减少两电池界面处电流复合损失，并保证顶电池在厚度比较薄的情况下的电流输出。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层太阳电池 双层氧化物结构 顶电池 隧穿层 单层 制备 双层氧化物 氧化物结构 电池界面 电流输出 复合损失 厚度比较 底电池 晶体硅 叠置 下层 薄膜 上层 保证 | ||
【主权项】：
1.一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池，所述隧穿层为双层氧化物结构，所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物结构的下层材质为Al2O3或SiO2。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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