[发明专利]一种真空电子管封接材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611045037.1 申请日: 2016-11-24
公开(公告)号: CN106435245A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 唐珩 申请(专利权)人: 无锡奔牛生物科技有限公司
主分类号: C22C5/08 分类号: C22C5/08;C22C1/02;C22F1/14
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 代理人: 冯智文
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种真空电子管封接材料的制备方法,具体步骤如下:(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内,炉内抽真空至0.1~0.5Pa,再加热到1300~1350℃;(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后,保持30~40分钟,然后将熔融液倒至定型模具内,自然冷却,得到加工本封接材料所需的铸锭;(3)将铸锭进行回火处理,在600~650℃保温2~3小时;(4)然后将铸锭进行轧机压延,经修整冲压成所需形状即可。本发明制备得到的封接材料清洁度高,防腐蚀、抗氧化性能好。
搜索关键词: 一种 真空 电子管 材料 制备 方法
【主权项】:
一种真空电子管封接材料的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将Ag、Cu、In、Ge、Co、Ni按配比放入真空熔炼炉内,炉内抽真空至0.1~0.5Pa,再加热到1300~1350℃;(2)待各金属原料在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后,保持30~40分钟,然后将熔融液倒至定型模具内,自然冷却,得到加工本封接材料所需的铸锭;(3)将铸锭进行回火处理,在600~650℃保温2~3小时;(4)然后将铸锭进行轧机压延,经修整冲压成所需形状即可;所述各金属原料的质量百分比为:Cu:15~20%、In:1~3%、Ge:0.5~2%、Co:1~2%、Ni:3~5%;其余为Ag和不可避免的杂质。
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