[发明专利]一种准多口MRAM芯片及其读写方法有效
| 申请号： | 201611038037.9 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074606B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 31287 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 于晓菁<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种准多口MRAM芯片，包括多个阵列，准多口MRAM芯片同时收到读写N个地址的N条指令，N个地址属于不同的阵列N条指令同时操作，或者N个地址属于同一阵列的同一行N条指令同时操作，其中N大于或等于2。本发明提供的准多口MRAM芯片及其读写方法，利用MRAM芯片中不同阵列可以同时进行读写，在实际使用中大部分时间里能在一个读写周期里同时进行多处读写，如果不能做到，则依次进行读写。 | ||
| 搜索关键词： | 读写 多口 芯片 指令 读写周期 多个阵列 | ||
【主权项】：
1.一种准多口MRAM芯片，包括多个阵列，其特征在于，所述准多口MRAM芯片同时收到读写N个地址的N条指令，所述N个地址属于不同的阵列所述N条指令同时操作，或者所述N个地址属于同一阵列的同一行所述N条指令同时操作，其中N大于2；其中所述准多口MRAM芯片的每个阵列包括N个读写通道，每个读写通道包括控制信号线、地址线以及数据通道。/n
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