[发明专利]写追踪跟随性检测方法和电路以及包括该电路的存储器有效
申请号: | 201611026642.4 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN108074609B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 史增博;方伟;郝旭丹 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C11/419 | 分类号: | G11C11/419 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;卜璐璐 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种写追踪跟随性检测方法和电路以及包括该电路的存储器。所述写追踪跟随性检测方法包括:提供写追踪单元、延时单元和虚拟存储单元;检测所述虚拟存储单元是否写失效;以及当所述虚拟存储单元未写失效时,将所述写追踪单元的输出作为写反馈信号输出;当所述虚拟存储单元写失效时,将所述写追踪单元的输出经所述延时单元延时后再作为写反馈信号输出。本发明所提供的写追踪跟随性检测方法和电路以及包括该电路的存储器能够检测写追踪的跟随性,当写追踪路径比实际写入偏快时,在写追踪路径中加入延时,从而能够保证字线有足够的开启时间,避免存储单元写失效。 | ||
搜索关键词: | 追踪 跟随 检测 方法 电路 以及 包括 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种写追踪跟随性检测方法,其特征在于,所述方法包括:提供写追踪单元、延时单元和虚拟存储单元;检测所述虚拟存储单元是否写失效;以及当所述虚拟存储单元未写失效时,将所述写追踪单元的输出作为写反馈信号输出;当所述虚拟存储单元写失效时,将所述写追踪单元的输出经所述延时单元延时后再作为写反馈信号输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611026642.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。