[发明专利]能够快速写入/读取数据的存储电路有效

专利信息
申请号: 201611022734.5 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN107017012B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 夏浚;张正男;宋玉惠 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种能够快速写入/读取数据的存储电路。所述存储电路包含多个存储区块和一控制器,所述多个存储区块中的每一存储区块包含多个存储区段,且所述多个存储区段中的每一存储区段包含多条位线和多条字符线。当所述控制器启用对应一存储区段的一字符线的激活指令后,对应所述字符线的字符开关开启且数据依序写入所述存储区段内耦接于所述存储区段的多条位线且对应所述字符线的存储单元;当所述控制器启用至少一复制列写入指令时,所述数据被同时写入与所述存储区段的多条位线共享多个读出放大器且对应至少一其他字符线的存储单元。如此,本发明可缩短所述数据被写入对应所述至少一其他字符线的存储单元的时间。
搜索关键词: 能够 快速 写入 读取 数据 存储 电路
【主权项】:
一种能够快速写入数据的存储电路,包含:多个存储区块,其中所述多个存储区块中的每一存储区块包含多个存储区段,且所述多个存储区段中的每一存储区段包含多条位线和多条字符线;及一控制器;其特征在于还包含:在所述数据依序写入一存储区段内耦接于所述存储区段内的多条位线且对应所述存储区段内的一字符线的存储单元后且当所述控制器启用至少一复制列写入指令时,所述数据被同时写入与所述存储区段的多条位线共享多个读出放大器且对应至少一其他字符线的存储单元,其中所述至少一其他字符线对应所述至少一复制列写入指令。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰创科技股份有限公司,未经钰创科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611022734.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top