[发明专利]银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置有效
| 申请号： | 201611010091.2 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107039098B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金美静;郭灿;金正华;高东秀;金光熙;金地玴 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 包括 导体 电子 装置 | ||
【主权项】：
电导体，包括基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度小于0.40度。
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