[发明专利]银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置

权利要求书

1.电导体，包括

基底；和

设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，

其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且

在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度小于0.35度。

2.如权利要求1所述的电导体，其中所述基底具有至少10MPa的挠曲模量。

3.如权利要求2所述的电导体，其中所述基底包括聚(甲基)丙烯酸酯、聚烯烃、聚氯乙烯、含氟聚合物、聚酰胺、聚酰亚胺、聚砜、聚醚醚酮、聚降冰片烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚二甲基硅氧烷、其共聚物、或其组合。

4.如权利要求1所述的电导体，其中所述多个银纳米线具有小于或等于100纳米的平均直径和大于或等于100的长径比。

5.如权利要求1所述的电导体，其中所述主峰的2θ半宽度小于或等于0.32度。

6.如权利要求1所述的电导体，其中所述主峰在35度-42度的衍射角2θ处。

7.如权利要求1所述的电导体，其中所述电导体具有小于或等于100欧姆/平方的薄层电阻、小于或等于1.0％的雾度和大于或等于80％的可见光透射率。

8.如权利要求1所述的电导体，其中当以外弯曲模式使用10厘米的电极之间的距离在20-25℃的温度和45-55％的相对湿度下在6.7％的应变下测量时，所述电导体在以1毫米的曲率半径弯曲200,000次后具有小于或等于80％的电阻变化率。

9.如权利要求8所述的电导体，其中所述电导体在以1毫米的曲率半径弯曲200,000次后具有小于或等于64％的电阻变化率。

10.如权利要求1所述的电导体，其中所述电导体进一步包括直接在所述导电层上的罩面层，所述罩面层包括热固性树脂、紫外光固化的树脂、或其组合。

11.电子装置，包括如权利要求1-10任一项所述的电导体。

12.如权利要求11所述的电子装置，其中所述电子装置包括显示器、触摸屏面板、太阳能电池、电子视窗、电致变色镜、透明加热器、热镜、透明晶体管、透明应变传感器、柔性线电极、柔性电池电极、或其组合。

13.如权利要求11所述的电子装置，其中所述电子装置包括柔性显示器或柔性太阳能电池。

14.银纳米线的群，所述银纳米线的群在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰并且具有小于0.35度的在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度。

15.如权利要求14所述的银纳米线的群，其中所述银纳米线的群之中的银纳米线的至少一个具有通过对所述纳米线的截面的透射电子显微镜观察所测定的(111)晶面；且

所述(111)晶面具有由五个三角形表面限定的五边形截面且包括孪晶间界。

16.如权利要求14所述的银纳米线的群，其中所述银纳米线的群中的多个银纳米线的平均直径小于或等于100纳米，且所述多个银纳米线的长径比大于或等于100。

17.如权利要求14所述的银纳米线的群，其中所述银纳米线的群中的多个银纳米线的平均长度大于或等于2.5微米。

18.如权利要求14所述的银纳米线的群，其中在高斯拟合之后所述主峰具有小于或等于0.32度的2θ半宽度。

19.如权利要求14所述的银纳米线的群，其中所述主峰在35度-42度的衍射角2θ处。