[发明专利]摄像装置

摘要

本发明目的在于减小漏电流而抑制画质的劣化。本申请的摄像装置，具有半导体基板和多个单位像素单元；多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于半导体基板内，在半导体基板的表面的第1区中在半导体基板的表面上露出；与第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在半导体基板内与第1区域直接邻接，在被第1区将周围包围的第2区中在半导体基板的表面上露出；光电变换部，位于半导体基板的表面的上方；接触插塞，位于半导体基板的表面与光电变换部之间，与第2区域连接；第1晶体管，包括将第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和半导体基板与第1电极之间的第1绝缘层，将第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将第1区内的与第1部分不同的第2部分覆盖；半导体基板与第2电极之间的第2绝缘层。当从与半导体基板的表面垂直的方向观察时，第2区域与接触插塞之间的连接部位于第1电极与第2电极之间。

主权项

一种摄像装置，其特征在于，具有半导体基板和多个单位像素单元；上述多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于上述半导体基板内，在上述半导体基板的表面的第1区中在上述半导体基板的上述表面上露出；与上述第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在上述半导体基板内与上述第1区域直接邻接，在第2区中在上述半导体基板的上述表面上露出，该第2区的周围被上述第1区包围；光电变换部，位于上述半导体基板的上述表面的上方；接触插塞，位于上述半导体基板的上述表面与上述光电变换部之间，与上述第2区域连接；第1晶体管，包括将上述第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和上述半导体基板与上述第1电极之间的第1绝缘层，将上述第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将上述第1区内的与上述第1部分不同的第2部分覆盖；以及上述半导体基板与上述第2电极之间的第2绝缘层；当从与上述半导体基板的上述表面垂直的方向观察时，上述第2区域与上述接触插塞之间的连接部位于上述第1电极与上述第2电极之间。