[发明专利]摄像装置

说明书

本发明目的在于减小漏电流而抑制画质的劣化。本申请的摄像装置，具有半导体基板和多个单位像素单元；多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于半导体基板内，在半导体基板的表面的第1区中在半导体基板的表面上露出；与第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在半导体基板内与第1区域直接邻接，在被第1区将周围包围的第2区中在半导体基板的表面上露出；光电变换部，位于半导体基板的表面的上方；接触插塞，位于半导体基板的表面与光电变换部之间，与第2区域连接；第1晶体管，包括将第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和半导体基板与第1电极之间的第1绝缘层，将第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将第1区内的与第1部分不同的第2部分覆盖；半导体基板与第2电极之间的第2绝缘层。当从与半导体基板的表面垂直的方向观察时，第2区域与接触插塞之间的连接部位于第1电极与第2电极之间。

技术领域

本发明涉及摄像装置。

背景技术

在数码相机等中广泛地使用CCD(Charge Coupled Device)图像传感器及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器。如周知那样，这些图像传感器具有形成在半导体基板上的光电二极管。

另一方面，提出了一种将具有光电变换层的光电变换部配置在半导体基板的上方的构造(例如专利文献1)。具有这样的构造的摄像装置有时被称作层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电变换产生的电荷被存储到电荷蓄积区域(被称作“浮置扩散部(floating diffusion)”)中。与存储在电荷蓄积区域中的电荷量对应的信号经由形成在半导体基板上的CCD电路或CMOS电路而被读出。

专利文献1：特开2009－164604号公报

专利文献2：国际公开第2012/147302号

发明内容

在层叠型的摄像装置中，有时由于来自电荷蓄积区域的漏电流或向电荷蓄积区域的漏电流而在得到的图像中发生劣化。如果能够减少这样的漏电流则是有益的。以下，有时将这些漏电流称作“暗电流”。

根据本申请的非限定性的某个例示性的实施方式，提供以下技术方案。

一种摄像装置，具有半导体基板和多个单位像素单元；多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于半导体基板内，在半导体基板的表面的第1区中在半导体基板的表面上露出；与第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在半导体基板内与第1区域直接邻接，在被第1区将周围包围的第2区中在半导体基板的表面上露出；光电变换部，位于半导体基板的表面的上方；接触插塞，位于半导体基板的表面与光电变换部之间，与第2区域连接；第1晶体管，包括将第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和半导体基板与第1电极之间的第1绝缘层，将第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将第1区内的与第1部分不同的第2部分覆盖；半导体基板与第2电极之间的第2绝缘层；当从与半导体基板的表面垂直的方向观察时，第2区域与接触插塞之间的连接部位于第1电极与第2电极之间。

总括性或具体性的形态也可以由元件、器件、模组或系统实现。此外，总括性或具体性的形态也可以由元件、器件、模组及系统的任意组合实现。

公开的实施方式的追加性的效果及优点根据说明书及附图会变得清楚。效果及/或优点由在说明书及附图中公开的各种各样的实施方式或特征分别提供，为了得到它们中的1个以上并非全部需要。

根据本申请的实施方式，提供一种抑制了暗电流的摄像装置。

附图说明

图1是表示本申请的第1实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的图。

图2是表示单位像素单元10的器件构造的典型例的示意性剖视图。

图3是表示单位像素单元10中的各元件的布局的一例的、从半导体基板60的法线方向观察时的平面图。