[发明专利]无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法

摘要

无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明方法包括：在衬底基片上淀积Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜；在流动的氧气气氛中，将非晶先驱薄膜放入密闭的人造蓝宝石坩埚中进行高温热处理，使Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜转变为Tl2Ba2CaCu2O8(Tl‑2212)高温超导薄膜。本发明采用了表面光滑的蓝宝石坩埚，使得贴合更加紧密，密闭性变强，非晶先驱薄膜中的铊元素含量即可提供结晶所需要的成分。这样不需要含铊源的焙烧靶，减少了不确定因素，使得制作出来的超导薄膜质量稳定。本发明制作的Tl‑2212超导薄膜，可用于制作微波无源器件，也可用于制作其他超导器件和进行科学研究等。

主权项

1.无焙烧靶制备铊系高温超导薄膜的方法，所述铊系高温超导薄膜材料，通式是Tl2Ba2CaCu2O8(Tl‑2212)，其特征在于制备方法包括下述步骤：第1、在衬底基片上淀积Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜；第2、在流动的氧气气氛中，将非晶先驱薄膜放入密闭的人造蓝宝石坩埚中进行高温热处理，使Tl‑Ba‑Ca‑Cu‑O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜；所述高温热处理过程为：将密闭的人造蓝宝石坩埚连同内部的非晶先驱薄膜及衬底基片放入石英管内，将石英管放在管式炉中加热，管式炉加热之前，先从进气口通入氧气，将原管式炉中的气体排净，然后以每分钟8℃的速度将石英管加热到770℃，并保持三小时，而后，关掉管式炉电源自然降温至室温，形成Tl‑2212超导薄膜，整个过程需要通过进气口和排气口持续通入氧气。