[发明专利]磁性叠层结构、磁性叠层结构的制备方法及输入装置有效
申请号: | 201610993645.9 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN106515126B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 简宪军 | 申请(专利权)人: | 广东小天才科技有限公司 |
主分类号: | B32B15/01 | 分类号: | B32B15/01;B32B7/12;B32B37/12;B32B38/00;B32B38/18;G06F3/0354 |
代理公司: | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人: | 万振雄 |
地址: | 523859 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁性叠层结构,应用于输入装置上,该磁性叠层结构包括低磁导率材料层以及至少两层高磁导率材料层,所述至少两层高磁导率材料层叠设于所述低磁导率材料层上。实施本发明实施例,利用该至少两层高磁导率材料层,能够对电感线圈产生的磁场进行反射,将电感线圈其他方向的磁场全部集中在电感线圈上方,从而能增大电感线圈上方的磁场,且有效地使电感线圈周围的磁场均匀,从而能够避免画斜线出现弯曲的现象。此外,利用低磁导率材料层可屏蔽外界的金属对电感线圈的影响,使输入装置能放在金属桌面上使用,有利于用户携带外出于不同环境使用。另,本发明还提供了具有上述磁性叠层结构的输入装置及制备上述磁性叠层结构的方法。 | ||
搜索关键词: | 磁性 结构 制备 方法 输入 装置 | ||
【主权项】:
1.一种磁性叠层结构,应用于输入装置上,其特征在于,其包括:低磁导率材料层以及至少两层高磁导率材料层,所述至少两层高磁导率材料层叠设于所述低磁导率材料层上;所述至少两层高磁导率材料层叠设在一起形成第一叠层,所述叠层结构由至少三份第一叠层无缝拼接形成,所述至少三份第一叠层依次贴设于所述低磁导率材料层上;其中,所述三份第一叠层为裁切设备沿所述第一叠层的水平方向或竖直方向裁切形成,且所述第一叠层的裁切位置为磁导率不均匀的位置;所述高磁导率材料层的磁导率为5000~7000亨利/米,所述低磁导率材料层的磁导率为600~800亨利/米。
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