[发明专利]低导通电阻和较低的总栅极电荷的LDMOS及其制备工艺在审
| 申请号： | 201610991243.5 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106684150A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴杨 | 申请（专利权）人： | 西安阳晓电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/58;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低导通电阻和较低的总栅极电荷的LDMOS，包括源极、栅极、漏极、金属屏蔽层，金属屏蔽层包括从栅极的上方跨过第一金属屏蔽层，其一端位于源极下方且与源极相接触，另一端与漏极间隔一定的距离；第一金属屏蔽层与栅极之间的绝缘介质层的厚度用于调整耦合电容的大小；第一金属屏蔽层的另一端与漏极之间的距离用于调整源极和漏极之间的电场。本发明工艺步骤与现有的标准CMOS工艺兼容，无需增加额外掩膜，也无需专用的机台，只需通过工艺调整ILD厚度以及不同的金属屏蔽层M0的延伸距离，从而在该金属屏蔽层与漏极的氧化物oxide或氮化硅SiN等介质之间形成耦合电容，实现不同的漏极电场耦合，保护栅极不受高压的冲击，实现不同电压器件优化。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 栅极 电荷 ldmos 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻和较低的总栅极电荷的LDMOS，包括源极、栅极、漏极、金属屏蔽层，其特征在于：所述金属屏蔽层包括第一金属屏蔽层，所述第一金属屏蔽层从栅极的上方跨过，其一端位于源极下方且与源极相接触，另一端与漏极间隔一定的距离；所述第一金属屏蔽层与栅极之间的绝缘介质层的厚度用于调整耦合电容的大小；所述第一金属屏蔽层的另一端与漏极之间的距离用于调整源极和漏极之间的电场。
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