[发明专利]一种具有串扰抑制能力的SiC MOSFET驱动电路

摘要

本发明公开了一种具有串扰抑制能力的SiC MOSFET驱动电路，包括相互推挽式连接的开关管S1与开关管S2，开关管S1与开关管S2之间连接有驱动电阻，驱动电阻输出端连接有并联连接的第一级串扰抑制电路和第二级串扰抑制电路；所述第一级串扰抑制电路包括二极管D2和连接在二极管D2阳极端的电容C1，电容C1另一端连接至第二级串扰抑制电路后并与二极管D2阴极端相连；所述第二级串扰抑制电路包括BJT管T、并联在BJT管T基极与发射极上的电阻R3、并联联在BJT管T集电极与基极之间的电容C2和C3；电阻R3和电容C3为输出端。该驱动电路通过负压关断避免了误导通的情况，并通过串扰抑制电路减小了负压尖峰。

主权项

1.一种具有串扰抑制能力的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，SiC MOSFET驱动电路包括相互推挽式连接的开关管S1与开关管S2，开关管S1与开关管S2之间连接有驱动电阻，驱动电阻输出端连接有并联连接的第一级串扰抑制电路和第二级串扰抑制电路；所述第一级串扰抑制电路包括二极管D2和连接在二极管D2阳极端的电容C1，电容C1另一端连接至第二级串扰抑制电路后并与二极管D2阴极端相连；所述第二级串扰抑制电路包括BJT管T、并联在BJT管T基极与发射极上的电阻R3、并联在BJT管T集电极与基极之间的电容C2和C3；电阻R3和电容C3为输出端。