[发明专利]一种电写磁读磁电存储单元及制备方法在审

专利信息
申请号: 201610978547.8 申请日: 2016-11-08
公开(公告)号: CN106328807A 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 张吉涛;王晓雷;杨倩;袁帅;郑晓婉;任林娇;赵红梅;郭淑婷;曹玲芝 申请(专利权)人: 郑州轻工业学院
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;G11C13/00
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223 代理人: 潘宏伟
地址: 450002 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种电写磁读磁电存储单元及制备方法,涉及功能材料与信息技术领域,用以解决现有技术中的磁电存储单元,存在需要外加偏置磁场激发磁致伸缩材料的压磁效应,导致存储单元体积增加,信噪比降低,以及存储密度降低的问题。该存储单元包括:底电极层形成在所述衬底基片之上;压电层形成在底电极层之上;自由层形成在压电层之上;非磁隔离层形成在自由层之上;固定层形成在非磁隔离层之上;顶电极层形成在所述固定层之上;自由层、非磁隔离层和固定层构成磁隧道结;压电层和磁隧道结构成磁电异质结构;顶电极层和底电极层分别作为磁电异质结构的上下电极而对磁电异质结构施加电场,电场方向垂直于磁电异质结构。
搜索关键词: 一种 电写磁读 磁电 存储 单元 制备 方法
【主权项】:
一种电写磁读磁电存储单元,其特征在于,包括:衬底基片、底电极层、压电层、自由层、非磁隔离层、固定层和顶电极层;所述底电极层形成在所述衬底基片之上;所述压电层形成在所述底电极层之上;所述自由层形成在所述压电层之上;所述非磁隔离层形成在所述自由层之上;所述固定层形成在所述非磁隔离层之上;所述顶电极层形成在所述固定层之上;所述自由层、所述非磁隔离层和所述固定层构成磁隧道结;所述压电层和所述磁隧道结构成磁电异质结构;所述顶电极层和所述底电极层分别作为所述磁电异质结构的上下电极而对所述磁电异质结构施加电场,所述电场方向垂直于所述磁电异质结构;所述压电层采用压电单晶体材料;所述自由层和所述固定层均采用磁致伸缩材料。
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