[发明专利]一种用于TD‑LTE的高增益CMOS低噪声放大器在审
| 申请号： | 201610973417.5 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106533367A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 谢生;钱江浩;毛陆虹;李海鸥 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/30;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 李林娟 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于TD‑LTE的高增益CMOS低噪声放大器，为全集成的两级级联结构，第一级放大电路采用并联电容的源电感反馈型共源共栅结构，第二级放大电路采用电感峰化的共源共栅结构；其中，单端射频信号经第一级放大电路实现输入匹配和放大后，通过级间匹配单元送入所述第二级放大电路，完成二次放大和输出匹配，最后输出射频信号。该低噪声放大器芯片的集成度高、成本低；与传统的源电感反馈型共源共栅结构相比，获得了极低的噪声系数，提高了系统灵敏度；本发明在提高低噪声放大器增益的同时增加了隔离度，从而抑制输出信号对输入的干扰，有利于抑制后级混频器的噪声；消除了电源对输入信号的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 td lte 增益 cmos 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种用于TD‑LTE的高增益CMOS低噪声放大器，所述低噪声放大器为全集成的两级级联结构，其特征在于，所述低噪声放大器包括：第一级放大电路、第二级放大电路，还包括级间匹配单元及偏置电路；所述第一级放大电路采用并联电容的源电感反馈型共源共栅结构，所述第二级放大电路采用电感峰化的共源共栅结构；其中，单端射频信号经所述第一级放大电路实现输入匹配和放大后，通过所述级间匹配单元送入所述第二级放大电路，完成二次放大和输出匹配，最后输出射频信号。
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